Hybridparameter

Wählt man nun in diesem Kennlinienfeld einen durch die zwischen Basis und Emitter angelegte Spannung U_BE charakterisierten Arbeitspunkt, so läßt sich der Transistor in diesem Arbeitsbereich durch die Steigungen der einzelnen Kennlinien beschreiben, die als Hybridparameterbezeichnet werden. Diese sind im Folgenden:

Eingangswiderstand: $h_{11} = r_{{BE}} = \left. \frac{\partial U_{BE}}{\partial I_B} \right\vert _{U_{CE}=konstant}$
Entspricht dem Kehrwert der Steigung der Eingangskennlinie im Arbeitspunkt. Der Eingangswiderstand hat die Einheit $[R_{BE}] = \Omega$.

Spannungsrückwirkung: $h_{12} = v_r = \left. \frac{\partial U_{BE}}{\partial U_{CE}} \right\vert _{I_{B}=konstant}$
Dieser Hybridparameter beschreibt die Beeinflussung der Basisspannung durch U_CE. Da v_r < 10^-4 ist dieser Effekt meist zu vernachlässigen.

Stromverstärkung: $h{21} = \beta = \left. \frac{\partial I_C}{\partial I_B} \right\vert _{U_{CE}=konstant}$
$\beta$ beschreibt die Stromverstärkung für kleine Änderungen von U_BE und I_B um den Arbeitspunkt.

Ausgangsleitwert: $h_{22} = \frac{1}{r_{CE}} = \left. \frac{\partial I_C}{\partial U_{CE}} \right\vert _{I_B=konstant}$
Dieser Hybridparameter ist der Kehrwert des Ausgangswiderstandes r_CE. Er entspricht der Steigung der Ausgangskennlinie und hat die Einheit
$[\frac{1}{r_CE}] = \frac{1}{\Omega}$.